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電子束蒸發(fā)與磁控濺射鍍膜的性能分析研究

2017/5/20 20:19:46 來(lái)源:

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Al膜的電阻率與Al塊材的非常接近。電阻率隨結晶粒徑的減小而增加。由于電子束蒸發(fā)Al膜的結晶粒徑明顯小于濺射,所以濺射的電阻率小于電子束蒸發(fā),其電導率較高。

2.5折射率

折射率一般可以反映薄膜的致密程度,隨致密程度的增加而增加,而我們所制備的電較引線(xiàn)Al膜要求致密性好,這就可能通過(guò)測試折射率的大小來(lái)定性地判斷Al膜的致密性。而折射率可以通過(guò)反射率間接地換算得到。

金屬膜的特性一般用折射率NM=n-ik來(lái)表征,設金屬膜厚度為dM,折射率為NM=n-ik,位相厚度為δM=2πNMdM/λ,若考慮垂直入射,金屬膜與Si基底的組合導納為YM=((ngcos(δM)+iNMsin(δM))/(cos(δM)+isin(δM)ng/NM)=YM(1)+iYM(2)(5)從而整個(gè)結構的反射率為RM=|(n0-YM)/(n0+YM)|2={[(n0-YM(1))]2+[YM(1)]2}/{[(n0+YM(1))]2+[YM(1)]2}(6)但其描述和計算過(guò)程過(guò)于復雜,故可以有下面的描述和計算代替。

當光束垂直入射到單層薄膜有面時(shí),反射率RM=(n0n2-NM2)/(n0n2+NM2)(7)

則NM={[(1-RM)/(1+RM)]n0n2}1/2(8)

式中RM-----------反射率

n0------------空氣的反射率

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